小哥给工作上动了点小手脚，然后啥也不用干，白拿了5年工资

也就是说，小哥由于可见光波长为几百纳米，限制了光学显微镜的分辨率。

【图文导读】图一三角形反点晶格中的低无序人造石墨烯（a）在GaAs量子阱上刻印的带有周期b的三角形反点晶格示意图，给工工资白色圆圈代表半径为r的刻蚀反点，给工工资黑色和灰色区域代表未刻蚀区域，黑色圆圈表示以周期a=b/√3的蜂窝图案排列的有效点，在评估AG带结构中，我们在单颗粒近似中使用具有费米能量的丸盒势（红色虚线），V0是刻蚀区域的潜在深度，每个反点都会产生一个有效的排斥势V0（b）在三角形反点晶格中计算的电子密度，其中V0=6meV、b=70nm、a=40.4nm以及r=20nm，黄色箭头强调了在最邻近点之间的强化电子耦合，颜色条表示电子密度（c）b中带参数AG的两个最低狄拉克带，EM表示M点附近的带隙值图二在三角形反点晶格中制备的人造石墨烯（a）Zep520抗蚀剂通过电子束暴露在80kV的加速电压下，之后，抗蚀剂演化成三角形反点图案（b）带有图案的抗蚀剂通过电子泛光暴露在3kV加速电压下，用以增强抗蚀剂的化学稳定性（c）将BCl3基干刻蚀剂以深度控制的方法将图案转移到衬底上（d）除去残余的抗蚀剂后的最终器件，QW位于表面下方80nm处和Si的δ掺杂层的30nm处，所生长的电子密度是2.1×1011cm-2，费米能级是7.5meV，低温迁移率是106cm2V-1s-1（e）在0°倾斜（上面板，俯视图）和40°倾斜（底面板，侧视图）中具有不同周期的AG晶格的扫描电镜图片，所有面板上的黄色标尺为50nm（f）AG样品I（入射光子能量为1554.36meV，蓝色标识）的子带间激发的RILS光谱与所生长的GaAsQW的子带间激发（入射光子能量为1550.92meV，黑色标识）之间的比较，对于不同的入射光子能量，样品I的子带间激发的峰宽几乎是恒定的，光谱是在5K时在交叉极化下拍摄的图三三角形反点结构中低无序AG的狄拉克带激发（a）AG计算的能带与样品I的狄拉克跃迁图，用不同颜色表示不同环境中的跃迁（b）最低的曲线是a中跃迁的联合态密度（JDOS），颜色区域表明不同环境下的跃迁，红色标识是高斯扩展下的JDOS，宽度为γ=0.1meV（其中，选择的γ以适合接近EM的光谱线形状），顶部的黄色迹线是样品I中狄拉克带激发的RILS光谱，其入射光子能量ħωi为1522.88meV（c）狄拉克带激发的RILS光谱，除去了非RILS的背景，垂直虚线表示EM和EX的位置，插图显示了EM和EX的电平图，在这个插图中，黑色圆圈是c00带的空穴，红色圆圈是c01带的电子（d）顶部表示RILS光谱，ħωi为1523.06meV，JDOS（红色虚线，γ=0.1meV）与由单粒子激发所引起的散射强度成正比，底部：上方的迹线表示减除单粒子JDOS强度后的光谱，其中ħωi为1523.06meV（紫色），1523.01meV（蓝色）和1522.97meV（绿色），示意图显示了M点处的自旋激子能和带隙能，由于朗道阻尼，自旋激子模型宽度增加图四在子带间激发中探测库仑交换能（a）表示在子带间自旋密度激发（SDE）的RILS的光跃迁，在具有入射光子能量ħωi的跃迁中，入射光子将一个电子从价带（VB）上激发到c11/c10态上，在价带上留下一个空穴。这一成就使观察到受交换库仑相互作用的集体鞍点自旋激子成为可能，作上所观察到的库仑交换相互作用能量与M点处狄拉克带的能隙相当，作上这表明准粒子相互作用与AG势能之间的相互影响。

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